pe 2024/11/20 28

2N2369 Tranzistor de comutare: PINOUT, alternative și specificații

Acest articol explorează tranzistorul 2N2369, cunoscut pentru performanța sa de mare viteză și fiabilitatea în comutarea electronică.Vom examina configurația PIN, specificațiile detaliate și diverse aplicații.Discuția include, de asemenea, tranzistoare alternative și perspective ale producătorilor, îmbunătățind înțelegerea modului în care interacționează 2N2369 cu alte componente electronice și influențează progresele tehnologice.

Catalog

Ce este tranzistorul 2N2369?

2n2369 Tranzistorul este un dispozitiv NPN epitaxial de siliciu planar, admirat pentru capacitatea sa de a efectua acțiuni de comutare rapidă, cu o tensiune de saturație scăzută și o dinamică eficientă de oprire.Ingineria sa o face benefică în contexte în care conservarea puterii și realizarea funcționării rapide sunt căutate pe o serie de circuite electronice.Un atribut deosebit al tranzistorului 2N2369 este competența sa în executarea comutatorului de mare viteză.Această caracteristică își găsește esența în aplicații precum amplificatoarele de impulsuri, unde tranzițiile rapide între state injectează vitalitate.Amestecul armonios de viteză și eficiență într -o singură componentă a prezentat un puzzle de inginerie, totuși acest tranzistor combină cu grație aceste trăsături.

Tensiunea scăzută de saturație a 2N2369 reduce risipa de putere în timpul funcționării, care se încadrează perfect în sistemele care îmbracă eficiența energetică.Această trăsătură facilitează longevitatea dispozitivului prelungit și ușurează stresul termic în circuite, un element de multe ori apreciat în implementările practice care solicită sensibilitate energetică.Caracteristica rapidă de oprire sporește aptitudinea tranzistorului pentru aplicații de înaltă frecvență.Reducerea timpului acesta rămâne activ atunci când este inutil, circuitele pot susține eficiența și performanța formidabilă.Comparabil cu sistemele avansate de frânare auto care răspund rapid la comenzile driverului.Echilibrarea consumului de putere scăzută cu performanță stelară devine un efort focal.Finerea arhitecturală a 2N2369 facilitează acest lucru, ceea ce face o alegere excelentă pentru electronica portabilă, unde longevitatea bateriei este o preocupare predominantă.Prowess de comutare rapidă a 2N2369 este importantă în cadrele digitale de mare viteză, cum ar fi procesoarele de semnal și convertoarele de date.

Imaginea de mai jos arată diagrama schematică internă a unui tranzistor NPN, reprezentând conexiunile dintre baza (b), colectorul (C) și emițătorul (E).

2N2369 Configurare pin

2N2369 Simbol și amprentă

2N2369 Specificații tehnice

Specificații tehnice, caracteristici și parametri ai Corporației Microsemi 2n2369a, împreună cu componentele care împărtășesc specificații similare.

Tip	Parametru
Starea ciclului de viață	În producție (ultima actualizare: acum 1 lună)
Placare de contact	Plumb, staniu
Tip de montare	Prin gaură
Numărul de pini	3
Tensiune de defalcare a colectorului-emițător	15V
Temperatura de funcționare	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Publicat	2002
Cod PBFree	nu
Nivel de sensibilitate la umiditate (MSL)	1 (nelimitat)
Cod ECCN	Ureche99
Disiparea maximă a puterii	360MW
Forma terminală	SÂRMĂ
Configurație	SINGUR
Timp de conducere din fabrică	12 săptămâni
Munte	Prin gaură
Pachet / carcasă	Până la 206AA, to-18-3 metal pot
Material de element tranzistor	SILICIU
Numărul de elemente	1
Ambalaj	Vrac
Cod JESD-609	E0
Starea părții	Activ
Numărul de terminații	3
Finisaj terminal	Tin plumb
Poziția terminală	FUND
Număr de pini	3
Disiparea puterii	360MW
Conexiune de caz	COLECTOR
Polariritate/tip de canal	NPN
Colecționar tensiune emițător (VCEO)	15V
DC Curent Gain (HFE) (min) @ IC, VCE	20 @ 100mA 1V
Frecvența de tranziție	500MHz
Tensiune de bază emițător (Vebo)	4.5V
Colector-Base Capacitate-Max	4pf
Starea ROHS	Non-ROH-uri conforme
Aplicație tranzistor	Comutare
Tipul tranzistorului	NPN
Curentul de colector maxim	400mA
VCE saturație (max) @ ib, ic	450mv @ 10mA, 100mA
Tensiune de bază a colectorului (VCBO)	40V
Vcesat-max	0,45V
Întărirea radiațiilor	Nu
Plumb liber	Conține plumb

Caracteristici ale 2N2369

• Tip: Tranzistor NPN bipolar, potrivit pentru aplicații versatile.

• Curentul de colector maxim: 200mA, susținând sarcini electrice moderate.

• Tensiune de defalcare a colectorului-emițător: 15V, ideal pentru proiecte de putere reduse până la moderate.

• Tensiune de saturație (VCE): 450mV, care permite comutarea eficientă din punct de vedere energetic.

• Aplicații: Utilizat în amplificarea semnalului, controlul motor mic și comutarea de mare viteză.

• Performanţă: Timpul de răspuns rapid îmbunătățește eficiența circuitului în scenariile de comutare rapidă.

• Beneficii pentru inginerie: Echilibrează specificațiile teoretice cu fiabilitate pentru circuitele de precizie.

• Flexibilitate: Adaptabil pentru proiecte inovatoare în peisajul tehnologic în evoluție de astăzi.

• Punctele forte cheie: Eficiență, adaptabilitate și adecvare pentru provocările de inginerie modernă.

Aplicațiile 2N2369

Comutare de mare viteză

Renumit pentru capacitățile sale de comutare rapidă și tensiunea de saturație a colectorului scăzut de colecție, 2N2369 excelează în contexte de comutare de mare viteză.Acționează ca o interfață perfectă între actuatoarele de putere redusă și circuitele de control.Această tranziție oferă o fiabilitate constantă pentru sarcinile sensibile la timp, îmbunătățind robustetea sistemului.O astfel de dependență este foarte apreciată atât în ​​mediul comercial, cât și în cele industriale.

Amplificarea semnalului

2N2369 este o componentă preferată în circuitele audio și RF care solicită o amplificare scăzută a zgomotului.Utilizarea sa în amplificatoare ridică claritatea solidă și fidelitatea semnalului.Alții se bazează pe acest tranzistor pentru a menține integritatea semnalului pe distanțe, obținând un echilibru delicat între specificații și utilizarea practică.Acest lucru reflectă progresele continue în tehnologiile audio și de comunicare, unde claritatea deține importanță.

Aplicații în sisteme digitale și analogice

2N2369 este integrat pe scară largă în sisteme digitale și analogice moderne, datorită capacității sale de a gestiona niveluri de curent și tensiune diverse.Este o componentă importantă în sisteme complexe, cum ar fi procesoarele de semnal digital și microcontrolerele.Aceste componente, concepute cu precizie, permit sistemelor să efectueze calcule atât rapid, cât și exact.Îmbunătățirile incrementale au performanța impactului, subliniind considerente atente de proiectare în inginerie electrică.

Impact asupra calculului și telecomunicațiilor

În câmpurile de calcul și telecomunicații, 2N2369 este integral arhitecturii de bază care stă la baza procesării și transmiterii datelor.Contribuția sa este importantă în optimizarea utilizării puterii și creșterea vitezei de procesare, pentru progresele de calcul de generație viitoare.Deși câștigurile de eficiență pot părea modeste individual, atunci când sunt aplicate în rețele, acestea duc la progrese notabile, ilustrând impactul extins al îmbunătățirilor inginerești detaliate.

Înlocuitori pentru tranzistorul 2N2369

• 2N2221

• 2n2222

• BC378

• BC378-6

• BC378-7

Alternative ale 2N2369

Parte	Comparaţie	Producători	Categorie	Descriere
Ian2n2369a	Partea curentă	Microsemi	BJTS	Trans gp bjt npn 15v 360mw 3pin to-18
Jantx2n2369a	Jan2N2369a vs Jantx2N2369a	Microsemi	BJTS	Trans gp bjt npn 15v 360mw 3pin to-18
JANS2N2369A	Jan2N2369a vs Jans2N2369a	Microsemi	BJTS	TO-18 NPN 15V
2n2369a	Jan2N2369a Vs 2N2369AleadFree	Semiconductor central		To-18 npn 15v 0.2a

Dimensiuni de pachet pentru 2n2369

2N2369 Informații despre producător

Microsemi Corporation strălucește în dezvoltarea de soluții sofisticate de semiconductor și sistem adaptate pentru sectoare precum centrele aerospațiale, apărare, comunicații și date.Spiritul lor inovator este evident în complexitatea circuitelor lor integrate de înaltă performanță (ICS), instrumente de gestionare a puterii de ultimă oră și soluții de rețea sigure inegalabile.Accentul Microsemi pe IC-urile de înaltă performanță subliniază angajamentul lor de a satisface cerințele tehnice ale electronicelor contemporane.Aceste ICS se formează pentru sistemele care au nevoie de precizie și dependență, în special în setările aerospațiale și de apărare, unde riscurile de eșec pot fi substanțiale.Îmbunătățirile în eficiența și capacitățile rețelelor de comunicații sunt, de asemenea, activate de aceste IC-uri de înaltă performanță, subliniind eforturile continue de inovare.Soluțiile de gestionare a energiei Microsemi joacă un rol influent în peisajul conștient de energie de astăzi.Proiectate pentru a maximiza consumul de energie, pentru a reduce ineficiențele și pentru a susține eficacitatea operațională, aceste instrumente rezonează puternic în contextele de date grele ale centrelor de date.Servind ca mai mult decât o necesitate tehnică, gestionarea eficientă a puterii oferă un avantaj strategic, ceea ce duce la reducerea costurilor și la promovarea practicilor durabile care obțin importanță în planificarea corporativă.

Fișă de date pdf

2N2222 Fisa de date:

2n22 (18-22) DATE PHATHEET.PDF