BSS138 aparține familiei de Mosfets N-Channel, renumită pentru rezistența sa scăzută de 3,5 ohmi și o capacitate de intrare de 40 PF.Acest MOSFET specific este adaptat pentru operațiunile la nivel logic în pachetele de dispozitiv de montare a suprafeței (SMD).Capabil să completeze un comutator în doar 20 ns, BSS138 este o potrivire ideală pentru aplicațiile de mare viteză și de joasă tensiune.Utilizarea sa se întinde pe diverse dispozitive portabile, cum ar fi telefoanele mobile, unde performanța sa eficientă devine evidentă.
MOSFET prezintă o tensiune de prag scăzută de 0,5V, îmbunătățind eficiența în numeroase circuite.BSS138 poate gestiona un curent continuu de 200mA și un curent maxim de până la 1a.Depășirea acestor limite riscă să deterioreze componenta, un factor care necesită o atenție atentă.BSS138 se desfășoară în mod fiabil în sarcini cu semnale mici.Cu toate acestea, limitările sale în manipularea curentă mandatează luarea în considerare a cererilor cu sarcini mai mari.Pentru exemple practice, la asamblarea dispozitivelor constrânse de putere, trebuie să rămânem la curent cu aceste limitări pentru a evita eșecurile potențiale ale circuitului.
• 2n7000
• 2n7002
• NTR4003
• FDC558
• FDC666
• BS170
• IRF3205
• IRF540N
• IRF1010E
• 2n7000
• BS170N
• Fdn358p
• BSS84
Acest terminal servește ca punct de ieșire pentru curentul care curge prin MOSFET.Gestionarea curentă la acest terminal este bună pentru performanța optimă a circuitului.Mulți se concentrează adesea pe minimizarea rezistenței în conexiunea sursă, un efort care este răsplătitor în aplicațiile de înaltă frecvență, unde contează fiecare miliohm.Un flux de curent eficient poate duce la nu doar câștiguri de performanță, ci și o satisfacție sporită din realizarea finetei tehnice.
Acest terminal modulează conexiunea dintre sursă și scurgere, controlând părtinirea MOSFET.Viteza cu care comutatoarele de poartă afectează eficiența generală a puterii, un detaliu care nu afectează doar analiza performanței, ci și mândria în elaborarea unui circuit de funcționare perfect.Capacitatea porții este un factor cheie în această modulare, cu implicațiile sale pentru timpii de comutare și precizia de tensiune necesitând ajustări delicate și reglare fină.
Curentul intră prin acest terminal, iar capacitatea scurgerii de a gestiona acest aflux dictează capacitatea de volum de muncă a MOSFET.Aceasta implică protejarea împotriva tensiunilor termice, o practică care implică adesea tehnici de gestionare termică precum chiuvetele de căldură și machete de PCB optimizate.Satisfacția derivată dintr-o scurgere eficientă bine răcită nu este doar tehnică;Văzând un design rezistă la niveluri de putere mai mari, fără degradare, aduce un sentiment de realizare.
Specificații |
Valoare |
Tip |
Nivelul logic MOSFET N-Channel |
Rezistență la stat |
3,5 ohmi |
Curent continuu de scurgere (ID) |
200 Ma |
Tensiune de scurgere-sursă (VDS) |
50 v |
Tensiune minimă a pragului porții (VGS) |
0,5 V. |
Tensiune maximă a pragului de poartă (VGS) |
1,5 v |
Porniți timpul |
20 ns |
Opriți timpul |
20 ns |
Pachet |
SOT23 SMD |
Tensiune de scurgere-sursă (VDSS) |
50 v |
Tensiune de poartă-sursă (VGSS) |
± 20 V. |
Curent continuu de scurgere (ID) la t = 25 ° C |
0,22 a |
Curent de scurgere pulsat |
0,88 a |
Disiparea maximă a puterii |
300 MW |
Intervalul de temperatură de funcționare și stocare |
-55 ° C până la +150 ° C. |
Temperatura maximă de plumb pentru lipire |
300 ° C. |
Rezistență termică |
350 ° C/W. |
Capacitate de intrare |
27 pf |
Capacitate de ieșire |
13 pf
|
Capacitate de transfer invers |
6 pf |
Rezistența porții |
9 ohmi |
Integrarea unui MOSFET BSS138 ca schimbător de nivel bidirecțional implică o conexiune atentă atât la o tensiune joasă (3,3V), cât și la o parte de înaltă tensiune (5V).Poarta MOSFET se conectează la alimentarea de 3.3V, sursa sa se leagă de autobuzul de joasă tensiune, iar scurgerile de scurgere cu autobuzul de înaltă tensiune.Această configurație asigură schimbarea nivelului de logică bidirecțională fără probleme, permițând dispozitivelor cu tensiune variabilă trebuie să comunice în siguranță.
Fără un semnal de intrare, ieșirea rămâne ridicată la 3,3V sau 5V, confirmată prin rezistențele R1 și R2.MOSFET rămâne într -un stat Off (0V VGS).Această configurație implicită minimizează utilizarea inutilă a puterii și menține stabilitatea circuitului.Selectarea valorilor de rezistență adecvate este necesară pentru performanțe stabile de așteptare.
Reducerea părții de joasă tensiune la 0V activează MOSFET, provocând un semnal de ieșire scăzut pe partea de înaltă tensiune.Această tranziție este utilizată pentru protocoalele de comunicare care necesită astfel de modificări și transmisie de date de mare viteză în setările de tensiune mixtă.
Coborârea tensiunii pe partea de înaltă tensiune pornește MOSFET, generând un semnal de nivel scăzut pe ambele părți.Această schimbare bidirecțională crește flexibilitatea și funcționalitatea sistemului.Îmbunătățirea atributelor de comutare ale MOSFET poate ridica și mai mult fiabilitatea și eficiența sistemului, în special în aplicațiile care au nevoie de un control precis al tensiunii.Prin aceste observații cuprinzătoare, este clar că nivelul logicii bidirecționale care schimbă nu numai că pune la punct diferite tensiuni, dar fortifică procesul de comunicare, asigurând atât integritatea, cât și rezistența acesteia.
BSS138 și -a câștigat o reputație în aplicații de joasă tensiune și de curent scăzut, datorită caracteristicilor electrice lăudabile.Tensiunea sa de prag scăzută îi permite să se activeze la tensiuni minime, ceea ce o face o alegere ideală pentru dispozitivele cu baterii și electronice portabile.Această calitate a devenit din ce în ce mai relevantă în electronica contemporană, determinată de nevoia presantă de eficiență energetică.Pe măsură ce tendința spre miniaturizare avansează, componente precum BSS138, capabile să funcționeze eficient la tensiuni reduse, joacă un rol în extinderea duratei de viață a bateriei și în a permite proiecte de dispozitive mai compacte.
O utilizare pentru BSS138 este în schimbător de nivel logic bidirecțional.Aceste dispozitive sunt esențiale pentru a asigura o comunicare lină între diferite sisteme care funcționează la niveluri variate de tensiune.O astfel de caracteristică este de neprețuit în configurații complexe, unde mai multe microcontrolere sau senzori cu cerințe de tensiune diverse trebuie să se integreze perfect.Performanța de încredere a BSS138 menține integritatea semnalului, care la rândul său îmbunătățește eficiența și funcționalitatea sistemelor electronice.Această aplicație este frecvent observată în proiectele de microcontroller în care integrarea senzorilor și perifericilor necesită o potrivire a nivelului de tensiune pentru o comunicare adecvată.
BSS138 se dovedește important în proiectarea convertoarelor DC-DC, în special în scenarii care necesită o reglare eficientă a tensiunii.Aceste convertoare sunt centrale atât în sistemele electronice de consum, cât și în sistemele industriale, unde este necesară stabilitatea tensiunii de ieșire dintr -o intrare instabilă.Datorită rezistenței sale scăzute pe stat, BSS138 minimizează pierderile de conducere, ceea ce crește eficiența conversiei.O astfel de eficiență este deosebit de bună în aplicațiile sensibile la energie, cum ar fi sistemele de energie regenerabilă și dispozitivele electronice portabile, unde durata de viață a bateriei și conservarea energiei.
În situațiile care solicită o rezistență minimă la stat, BSS138 MOSFET iese în evidență.Această caracteristică reduce disiparea puterii, îmbunătățind gestionarea termică și performanța generală a dispozitivului.Luați ca exemplu sursele de alimentare de comutare ca exemplu, aici, rezistența scăzută la stat asigură transferul eficient de energie și generarea de căldură minimă, crescând fiabilitatea și longevitatea componentelor electronice.Performanța termică îmbunătățită face, de asemenea, BSS138 adecvat pentru proiecte electronice de densitate ridicată, compactă, unde este necesară gestionarea disipației de căldură.
În domeniul în expansiune al e-mabilității, BSS138 este utilizat în vehicule electrice și în alte inovații cu mobile electronice.Gestionarea eficientă a puterii este utilizată pentru performanța, siguranța și durabilitatea acestor sisteme.Caracteristicile BSS138 susțin cerințele stricte pentru pierderi reduse de energie și fiabilitate ridicată a circuitelor de distribuție și gestionare a energiei din cadrul vehiculelor electrice.Acest MOSFET este la fel de valoros în sistemele de energie regenerabilă, în care conversia și gestionarea competentă a puterii influențează performanța și durabilitatea sistemului.Pe măsură ce aceste tehnologii progresează, componente precum BSS138 vor continua să le înainteze dezvoltarea.
Vă rugăm să trimiteți o întrebare, vom răspunde imediat.
pe 2024/10/5
pe 2024/10/4
pe 1970/01/1 2933
pe 1970/01/1 2487
pe 1970/01/1 2079
pe 0400/11/8 1872
pe 1970/01/1 1759
pe 1970/01/1 1709
pe 1970/01/1 1649
pe 1970/01/1 1537
pe 1970/01/1 1533
pe 1970/01/1 1500