IRLML6402 este un MOSFET HEXFET cu canal p conceput pentru funcționarea la -20V.Este încorporat într-un pachet micro3 elegant și minim (SOT-23).Acest MOSFET prezintă cu mândrie o rezistență impresionant de scăzută în raport cu dimensiunile sale compacte, alături de rezistență și capacități de comutare rapidă.Aceste elemente fac din MOSFET o opțiune versatilă pentru îmbunătățirea atât a eficienței, cât și a fiabilității într -o gamă largă de contexte, cum ar fi gestionarea bateriei, dispozitive portabile, carduri PCMCIA și plăci de circuit imprimate compacte.
Tehnicile de fabricație de ultimă oră de către redresorul internațional obțin o reducere excepțională a rezistenței la rezistență.Această caracteristică, combinată cu comutarea rapidă și designul robust tipic HEXFET® MOSFETS, oferă un mijloc valoros pentru gestionarea puterii și sarcinii pe numeroase dispozitive.Pachetul Micro3, cu cadrul său de plumb optimizat termic, se asigură că ocupă cea mai mică amprentă a industriei, care se potrivesc perfect aplicațiilor limitate de spațiu.Profilul său scăzut, care măsoară sub 1,1 mm, găzduiește cele mai elegante modele electronice, oferind în același timp performanțe termice și gestionare a puterii superioare.
În scenarii reale, IRLML6402 își dovedește valoarea în sistemele de gestionare a bateriilor prin îmbunătățirea longevității bateriei prin pierderea de energie minimizată.În egală măsură în dispozitivele portabile, dimensiunea sa minimă și performanța eficientă joacă un rol în extinderea duratei de viață a dispozitivului și în fiabilitatea.Pentru cei implicați în proiectarea sistemului electronic, integrarea unor astfel de componente poate ușura semnificativ fluxul de lucru, asigurând că dispozitivele funcționează în parametrii termici ideale.
Caracteristică |
Descriere |
Tip |
Mosfet P-Channel |
Pachet |
Amprenta SOT-23 |
Profil |
Profil scăzut (<1.1mm) |
Ambalaj |
Disponibil în bandă și tambur |
Comutare |
Comutare rapidă |
Conformitate |
Fără plumb, fără halogen |
Tensiune de scurgere la sursă (VDS) |
-20V |
Tensiune de poartă-sursă (VGS) |
± 12V |
On-Resistance (RDS (ON)) |
80MΩ la VG -2.5V |
Disiparea puterii (PD) |
1,3W la 25 ° C. |
Curent continuu de scurgere (ID) |
-3.7a la VGS -4.5V și 25 ° C |
Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare |
-55 ° C până la 150 ° C. |
Factor de deșeuri termice |
0,01W/° C. |
Tehnologii infine IRLML6402TR Tabelul de specificații și atribute.
Tip |
Parametru |
Tip de montare |
Montare la suprafață |
Pachet / carcasă |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montare la suprafață |
DA |
Material de element tranzistor |
SILICIU |
Curent - scurgere continuă (ID) @ 25 ℃ |
3.7a ta |
Numărul de elemente |
1 |
Temperatura de funcționare (Max.) |
150 ° C. |
Ambalaj |
Bandă tăiată (CT) |
Serie |
Hexfet® |
Publicat |
2003 |
Cod JESD-609 |
E3 |
Starea părții |
Învechit |
Nivel de sensibilitate la umiditate (MSL) |
1 (nelimitat) |
Numărul de terminații |
3 |
Cod ECCN |
Ureche99 |
Finisaj terminal |
Matte Tin (SN) |
Caracteristică suplimentară |
Fiabilitate ridicată |
Poziția terminală |
DUAL |
Forma terminală |
Aripa pescărușă |
Temperatura maximă de reflow (CEL) |
260 |
Time @ Peak Reflow Temp-Max (S) |
30 |
Cod JESD-30 |
R-PDSO-G3 |
Starea calificării |
Nu este calificat |
Configurație |
Single cu diodă încorporată |
Mod de funcționare |
Mod de îmbunătățire |
Tip FET |
P-Channel |
Aplicație tranzistor |
Comutare
|
Rds on (max) @ id, vgs |
65mΩ @ 3.7a, 4.5V |
Vgs (th) (max) @ id |
1.2V @ 250μA |
Capacitate de intrare (CISS) (Max) @ VDS |
633pf @ 10v |
Gate Charge (qg) (max) @ vgs |
12NC @ 5V |
Scurgerea la tensiune sursă (VDSS) |
20V |
Cod JEDEC-95 |
TO-236AB |
Scurgerea curentului-max (abs) (ID) |
3.7a |
Sursă de scurgere pe rezistență-max |
0,065Ω |
Curent de scurgere pulsat-max (IDM) |
22a |
Tensiune de defalcare DS-min |
20V |
Avalanche Energy Rating (EAS) |
11 MJ |
Disiparea puterii-Max (ABS) |
1.3W |
Starea ROHS |
Non-ROH-uri conforme |
În sfera dispozitivelor digitale 3C (computer, comunicare, consumator), IRLML6402 îmbunătățește intens eficiența energetică și receptivitatea dispozitivului.Smartphone-urile, laptopurile și camerele digitale, de exemplu, depind de tranzistoarele de joasă tensiune pentru a stimula durata de viață a bateriei și pentru a optimiza performanța.Acest lucru duce la experiențe îmbunătățite, evidente în capacitățile de multitasking fără probleme ale dispozitivelor actuale.Experiența a arătat că, prin selecția strategică a componentelor, producătorii obțin o armonie între utilizarea puterii și durabilitatea dispozitivului.
În electronice medicale, IRLML6402 se remarcă pentru fiabilitatea și precizia sa.Instrumente precum mașinile cu ultrasunete portabile și sistemele de monitorizare a pacienților necesită lecturi precise sub sarcini variabile, unde o sursă de alimentare stabilă este crucială.Perspectivele din aplicațiile practice indică faptul că utilizarea componentelor rezistente nu numai că îmbunătățește capacitățile dispozitivului, dar favorizează încrederea în progresele medicale.
Internetul lucrurilor este redimensionarea peisajelor tehnologice, IRLML6402 jucând un rol major.Pe măsură ce dispozitivele IoT se înmulțesc în casele și industriile inteligente, gestionarea eficientă a puterii devine o necesitate.Această componentă ajută la reducerea consumului de energie în timp ce îmbunătățește conectivitatea și receptivitatea.Observațiile sugerează că o strategie de coeziune pentru consumul de energie, alături de designul inovator, favorizează dispozitivele care nu sunt doar eficiente, dar și promovează sustenabilitatea.
În noi soluții energetice, cum ar fi invertoarele solare și controlerele de turbină eoliană, IRLML6402 ajută la o conversie și gestionare eficientă a energiei.Pe măsură ce lumea se apleacă spre energia regenerabilă, utilizarea dispozitivelor care minimizează pierderile de energie electrică poate accelera tranziția.Învățările practice indică faptul că stimularea eficienței sistemului contribuie în mod semnificativ la conservarea energiei și fiabilitatea sistemului, subliniind rolul unor astfel de componente în eforturile de sustenabilitate.
Este de remarcat compatibilitatea IRLML6402 cu sisteme de baterii diverse, cum ar fi ionul litiu și hidrura de nichel-metal.Este util pentru sistemele de gestionare a bateriilor care au nevoie de control precis asupra proceselor de încărcare și descărcare.Scenariile reale evidențiază semnificația alegerii tranzistoarelor adecvate pentru a prelungi durata de viață a bateriei, asigurând în același timp siguranța.Această înțelegere exactă a tehnologiei bateriei determină selecțiile de proiectare care duc la o performanță sporită și la îndeplinirea așteptărilor tale.
Pentru gestionarea încărcăturii, IRLML6402 oferă beneficii notabile în controlul distribuției puterii între circuite.Facilitează alocarea eficientă a energiei, evitând în același timp supraîncărcările sistemului, prevenind astfel defecțiunile.Perspectivele de la sistemele de distribuție a energiei dezvăluie că gestionarea strategică a încărcăturii îmbunătățește rezistența generală a sistemului, prezentând capacitatea componentei de a sprijini distribuția echilibrată a energiei.
În electronice portabile, proiectarea ușoară și compactă a IRLML6402 permite configurații inovatoare ale produsului fără a sacrifica performanța.Purtările și încărcătoarele portabile beneficiază de capacități de comutare rapidă, culminând cu consumul de energie mai mic.Experiențele de proiectare demonstrează că participarea la preferințele dvs. poate conduce alegerea și aranjarea optime a componentelor în cadrul produselor.
În aplicațiile de carduri PCMCIA, IRLML6402 sporește opțiunile de conectivitate, menținând în același timp o utilizare minimă a puterii.Această flexibilitate este activă pentru dispozitivele care solicită o lățime de bandă ridicată și adaptabilitatea.Avansarea continuă a tehnologiei de comunicare necesită componente care pot ține pasul cu progrese rapide, ilustrând avantajul selecției înțelepte ale componentelor.
Pentru proiectele plăcii de circuit conștiente de spațiu, IRLML6402 este în cea mai mare parte potrivită, având în vedere prima pe imobiliare.Eficiența sa permite densități de performanță mai mari, o necesitate în electronica compactă.Adaptarea machetei plăcii de circuit arată că planificarea minuțioasă și alegerea componentelor pot produce dispozitive mai mici, mai puternice, fără a compromite funcția.
În aplicațiile de comutare DC, IRLML6402 excelează oferind soluții de comutare rapide și de încredere.Trăsăturile sale operaționale pot duce la proiecte de circuit superioare, îmbunătățind atât viteza, cât și eficiența.Observațiile pe teren sugerează că înțelegerea cerințelor de comutare permite crearea de circuite care să -ți îndeplinească așteptările, în timp ce maximizează eficacitatea operațională.
Rolul IRLML6402 în comutarea sarcinii evidențiază flexibilitatea acestuia.Acesta asigură un control eficient asupra distribuției de energie în diferite sisteme, activ pentru integritatea sistemului.Anecdotele industriei indică faptul că optimizarea comutării sarcinii poate duce la economii considerabile de energie și durată de viață extinsă a dispozitivului, consolidându -și semnificația în electronica contemporană.
La 1 aprilie 1999, semiconductorii Siemens au experimentat o rebranding transformator, adoptând numele Infineon Technologies.Această schimbare a reprezentat un angajament semnificativ față de competitivitate în cadrul peisajului microelectronic în continuă evoluție.Infineon a apărut ca un designer și un producător proeminent, prezentând un portofoliu divers de produse elaborate pentru diverse aplicații, inclusiv dispozitive logice, circuite integrate cu semnal mixt și analogice și oferte de semiconductor discrete.
Sectorul microelectronicii este definit de un ciclu constant de inovație, determinat de creșterea cererii de soluții electronice avansate.Infineon demonstrează o conștientizare acută a dinamicii pieței actuale, concentrându -se pe segmente de creștere grave, cum ar fi electronice auto, automatizare industrială și Internet of Things (IoT).Companiile care valorifică eficient tehnologiile emergente, inclusiv AI și învățarea automată, se găsesc adesea într -o poziție avantajoasă pentru a evolua și a înflori.Investițiile vizate ale Infineon în cercetare și dezvoltare sunt un testament al ambiției sale de a conduce acuzația în crearea de inovații semiconductoare de generație viitoare.
Vă rugăm să trimiteți o întrebare, vom răspunde imediat.
pe 2024/11/15
pe 2024/11/15
pe 1970/01/1 3271
pe 1970/01/1 2815
pe 0400/11/20 2635
pe 1970/01/1 2265
pe 1970/01/1 1882
pe 1970/01/1 1846
pe 1970/01/1 1806
pe 1970/01/1 1800
pe 1970/01/1 1797
pe 5600/11/20 1782