pe 2024/11/3 148

Stăpânirea BFW10 30V N-Channel JFET

În lumea componentelor electronice, tranzistorul JFET BFW10 N-Channel iese în evidență ca un dispozitiv versatil pentru amplificarea și comutarea semnalului.Construit pe o tehnologie robustă de semiconductor, acest tranzistor oferă un control eficient al fluxului de curent prin terminalele sale de poartă, sursă și scurgere, ceea ce îl face ideal pentru aplicațiile în care precizia și zgomotul scăzut sunt esențiale.Designul său unic, asemănător cu un „robinet” pentru fluxul de electroni, asigură o manipulare precisă a semnalului, îmbunătățirea clarității audio, modularea semnalului și oscilația frecvenței.Cu aplicații variind de la amplificarea audio la receptorii FM și TV, adaptabilitatea BFW10 în diverse circuite îl face o alegere valoroasă pentru a căuta o performanță fiabilă în sistemele electronice.

Catalog

Prezentare generală BFW10 N-canal JFET

Construit din material semiconductor, BFW10 este un tranzistor JFET N-Channel versatil conceput pentru amplificarea și comutarea semnalelor și a puterii.Se conectează la circuite externe prin cel puțin trei terminale și gestionează fluxul de curent prin reglarea tensiunii sau curentului între ele, amplificând intrarea la o ieșire mai mare.Funcționarea axelor JFET cu canal N pe controlul fluxului de curent cu un câmp electric.Aici, terminalul de poartă joacă un rol major, similar cu un robinet care reglementează fluxul de electroni între sursă și scurgere, permițând amplificarea eficientă a semnalului tranzistorului.

Pinout

BFW10 ratinguri maxime

Parametru	Simbol	Valoare	Unitate
Tensiune de scurgere-sursă	VDS	30	VDC
Tensiunea de scurgere a porții	Vdg	30	VDC
Tensiune inversă a porții-sursă	VGSR	-30	VDC
Curent de poartă înainte	IGF	10	Madc

Specificații tehnice

Tip	Parametru
Montare la suprafață	NU
Temperatura de funcționare (Max.)	175 ° C.
Atinge codul de conformitate	not_compliant
Polariritate/tip de canal	N-canal
Tehnologia FET	JONCŢIUNE
Disiparea puterii-Max (ABS)	0,25W
Starea ROHS	Non-ROH-uri conforme

Caracteristici

Caracteristică	Specificații
Tip Designator	BFW10
Tipul de tranzistor	JFET
Tipul canalului de control	N-canal
Disiparea maximă a puterii (PD)	0,3 w
Tensiune maximă de scurgere-sursă (VDS)	30 v
Tensiune maximă de poartă-sursă (VGS)	30 v
Curent maxim de scurgere (ID)	0,01 a
Temperatura maximă de joncțiune (TJ)	150 ° C.
Rezistența maximă de scurgere la starea de dresaj (RDS)	500 ohm
Pachet	TO-72

Aplicații

BFW10 funcționează ca o rezistență variabilă de tensiune extrem de adaptabilă.Este utilizat în OP-AMP pentru a ajusta răspunsul la câștig și frecvență, asigurând ieșirea dorită.În controlerele de ton, acesta acordă cu exactitate ieșirea audio prin modificarea nivelurilor de frecvență, sporind claritatea și echilibrul sunetului.Atunci când este încorporată în circuite logice, BFW10 este esențial în gestionarea căilor de semnal și a nivelurilor de tensiune, influențând dinamica deciziilor circuitului.

În cadrul sistemelor de receptori FM și TV, BFW10 joacă un rol activ în mixere.Amestecă semnalele pe diverse frecvențe, facilitând demodularea lină și îmbunătățirea clarității semnalului.Această componentă este esențială în reducerea interferenței, un obstacol frecvent în procesarea semnalului.Puteți depinde adesea de exactitatea sa de a păstra transmisia clară, demonstrând o înțelegere largă a interacțiunilor componente electronice.

Diagrame de circuit

Echivalenți

• PTF10149

• RJK0234DNS

• SPP100N06S2-05

• SPB100N06S2-05

• SSM5N03FE

• STK0260D

• SWD5N65K

• VN10kls

• BS170

• BFW11

• CS3N20ATH

• FHP3205

• FS10km-12

• FS10km-2

• FTP50N20R

• JCS12N65T

• JCS12N65CT

Utilizările tranzistoarelor JFET

JFET-urile, sau „tranzistoarele cu efect de câmp de joncțiune”, joacă un rol major în circuitele electronice, apreciate pentru proprietățile lor distinctive.Spre deosebire de MOSFETS, JFET -urile nu încorporează oxidul de poartă, ceea ce duce la un curent de poartă mai mare.Această caracteristică oferă beneficii exacte în anumite situații, în special atunci când sunt necesare distincții subtile de performanță.Proiectarea JFET-urilor este adaptată pentru sarcini care accentuează amplificarea cu zgomot redus.Structura lor, lipsită de oxidul de poartă, facilitează avantaje specifice, ridicându -le în zonele care necesită o funcționare liniștită.

Amplificare cu zgomot redus

În mediile în care sensibilitatea este centrul performanței, JFET -urile strălucesc prin reducerea zgomotului 1/F, o provocare adesea prezentă la frecvențe joase.Adecvarea lor pentru instrumente de precizie și prelucrarea semnalului analogic este bine recunoscută.Puteți alege frecvent JFET -uri pentru o gestionare excepțională a zgomotului în echipamentul audio și instrumente de măsurare precise.

Acționând ca rezistențe mari

Funcționând în modul de epuizare, JFET -urile servesc ca rezistențe substanțiale, analog cu omologii lor MOSFET.Rolul lor în aplicații precum comutatoarele analogice, care necesită rezistență stabilă, este recunoscut.Această capacitate găsește o expresie practică în rezistențele controlate de tensiune, îmbunătățind proiectele în atenuatoare și mixere.

Dimensiuni

Producător

Texas Instruments, cu sediul central în Dallas, Texas, joacă un rol cheie în industria semiconductorului și a circuitului integrat.Înrădăcinate ferm în inovația tehnologică, ei conduc în mod constant progrese, transformând interacțiunile noastre cu dispozitivele electronice.Prezența lor globală extinsă oferă o serie diversă de componente care găsesc utilitatea într -o multitudine de aplicații.

O ofertă notabilă de la Texas Instruments este BFW10, care exemplifică dedicația lor de a oferi calitate și fiabilitate.Linia lor variată de produse prezintă o aptitudine pentru abordarea cerințelor complexe în diverse sectoare, cum ar fi electronice de consum și sisteme auto.Această evoluție a produsului evidențiază nu numai dezvoltarea tehnologică, ci și beneficiile tangibile ale performanței și eficienței sporite.